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30V低壓MOS 綠星SG30N04E DFN3*3

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顛覆業(yè)界傳統(tǒng)的低壓MOS制程,大幅降低RDS內(nèi)阻切換損失。

臺灣綠星低壓MOS產(chǎn)品融入DG-FET深溝槽創(chuàng)新技術(shù),將內(nèi)阻值死磕到底,肉眼可見的出類拔萃。

美瑞電子致力于推動品質(zhì)專線邁入普惠時代,帶入千行百業(yè)。

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