適用于BMS鋰電保護(hù)的低壓MOS

WMB100N04TS

維安（WAYON）WMB100N04TS是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，專(zhuān)為高效開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，常見(jiàn)于電源管理、電機(jī)控制等場(chǎng)景。

主要參數(shù)
- 漏源電壓（VDSS）：40V，適用于中等電壓電路。
- 連續(xù)漏極電流（ID）：125A（在25°C環(huán)境溫度下），支持大電流負(fù)載。
- 導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：最大4.6mΩ（測(cè)試條件：VGS=4.5V），低導(dǎo)阻可減少功率損耗。
- 柵極電荷量（QG）：95nC（VGS=10V），反映柵極驅(qū)動(dòng)需求。
- 工作溫度范圍：-55°C至+150°C，適應(yīng)寬溫環(huán)境。
- 封裝形式：PDFN5060-8L（無(wú)鉛、符合RoHS），便于SMT貼裝。

特性與應(yīng)用
- 低開(kāi)關(guān)損耗：導(dǎo)通電阻小，適合高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)景（如DC-DC轉(zhuǎn)換器）。
- 典型應(yīng)用：同步整流、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源模塊等。

注意事項(xiàng)
- 選型時(shí)需確保柵極驅(qū)動(dòng)電壓滿足閾值要求（VGS(th)典型值2.5V）。
- 高電流應(yīng)用下需注意散熱設(shè)計(jì)，以充分發(fā)揮其125A電流能力。

如需詳細(xì)數(shù)據(jù)手冊(cè)或封裝尺寸，建議參考官方資料獲取PDF文檔。