WMB043N10LGS

東莞美瑞電子是WAYON維安半導(dǎo)體較早—批代理商,于2018年面對電源市場推廣性能優(yōu)越的MOSFET功率器件產(chǎn)品,覆蓋650V,700V,800V多種封裝高壓超結(jié)MOSFET，歡迎點(diǎn)擊了解。

WMB043N10LGS 是一款由上海維安（Wayon）生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，常用于開關(guān)電源等電路中作為同步整流管。

以下是該器件的關(guān)鍵參數(shù)和特性：

* 主要參數(shù)：
* 漏源電壓 (Vdss)：100V
* 連續(xù)漏極電流 (Id)：120A
* 導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：典型值為 4.5mΩ（在 Vgs=10V 條件下）
* 耗散功率 (Pd)：131.6W
* 封裝形式：DFN-8L (5x6mm)

* 特性與應(yīng)用：
* 這款 MOSFET 采用先進(jìn)的工藝制造，具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，有助于提升電源轉(zhuǎn)換效率。
* 其工作溫度范圍較寬，可達(dá) -55℃ ~ +150℃，適用于多種工作環(huán)境。
* 根據(jù)公開的拆解報告，該型號器件被應(yīng)用于多款高功率快充充電器中（如 TOMAX 140W 氮化鎵充電器、Baseus 倍思 67W 伸縮線充電器等），作為同步整流電路的核心開關(guān)管，負(fù)責(zé)將高頻變壓器輸出的交流電整流為直流電，以實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。

* 注意事項：
* 在使用時，需確保其柵極驅(qū)動電壓符合要求，并注意散熱設(shè)計以充分發(fā)揮其電流處理能力。