LSD65R180GMB是一款 N-Channel MOSFET，其主要參數(shù)如下：
? 最大漏源電壓 (V_DS)：650 V
? 最大漏極電流 (I_D)：20 A
? 最大功耗 (P_D)：34 W
? 最大柵源電壓 (V_GS)：±30 V
? 最大門閾電壓 (V_GS(th))：5 V
? 總柵電荷 (Q_g)：約 39 nC
? 輸出電容 (C_oss)：約 1250 pF
? R_DS(on)：最大約 0.18 Ω

龍騰半導體多層外延MOS技術(shù)介紹
技術(shù)概述

龍騰半導體自主開發(fā)的超高壓950V超結(jié)SJ MOS平臺采用了先進的?多次外延結(jié)構(gòu)設(shè)計?，這是一種創(chuàng)新的功率半導體技術(shù)。該技術(shù)在保證高耐壓的基礎(chǔ)上，有效減少了器件內(nèi)部的寄生電容，進一步優(yōu)化了開關(guān)過程中的能量損失。

技術(shù)特點與優(yōu)勢

極低導通損耗?

Rsp(比導通電阻)較國際競品降低22.3%，顯著減少導通損耗
可在植物照明電源等應用中實現(xiàn)更高能效

超快動態(tài)性能?

FOM(Qgd)優(yōu)化14.5%
開關(guān)損耗(Eon/Eoff)分別降低18.5%和43.1%
助力高頻電源設(shè)計簡化

卓越可靠性?

Trr(反向恢復時間)縮短13.6%，減少開關(guān)噪聲
多次外延工藝增強了器件耐壓能力
支持950V高壓場景下的長期穩(wěn)定運行

工藝創(chuàng)新?

采用多次外延結(jié)構(gòu)設(shè)計
優(yōu)化了器件內(nèi)部電場分布
提高了整體性能和可靠性
應用領(lǐng)域

龍騰半導體多層外延MOS技術(shù)廣泛應用于以下領(lǐng)域：

應用領(lǐng)域 具體應用場景
電源系統(tǒng) LED驅(qū)動電源、適配器、PD充電器、開關(guān)電源、計算機及服務器電源
新能源 光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、充電樁
工業(yè)電子 電池化成電源、工業(yè)電源
消費電子 便攜儲能設(shè)備、戶外電源
技術(shù)對比分析

與傳統(tǒng)MOSFET技術(shù)相比，龍騰半導體多層外延MOS技術(shù)具有顯著優(yōu)勢：

與傳統(tǒng)平面VDMOS對比?

克服了導通電阻隨擊穿電壓急劇增大的缺點
提升了系統(tǒng)效率
保持了輸入阻抗高、開關(guān)速度快、工作頻率高等優(yōu)點

與常規(guī)超結(jié)MOSFET對比?

采用多次外延工藝，增強了耐壓能力
優(yōu)化了內(nèi)部電場分布
提高了開關(guān)性能和可靠性

市場定位?

填補了國產(chǎn)高端功率半導體器件空白
在950V高壓應用場景具有競爭優(yōu)勢
適用于對能效和可靠性要求高的應用
技術(shù)發(fā)展前景

隨著可再生能源、新能源汽車及5G通信等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，功率半導體的需求持續(xù)攀升。龍騰半導體多層外延MOS技術(shù)憑借其高性能和可靠性，有望在以下領(lǐng)域獲得更廣泛應用：

新能源汽車?：車載充電機、DC-DC轉(zhuǎn)換器等
工業(yè)自動化?：伺服驅(qū)動、工業(yè)電源等
數(shù)據(jù)中心?：服務器電源、UPS等
智能家居?：高效電源適配器等

該技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新將助力我國功率半導體產(chǎn)業(yè)提升國際競爭力，滿足日益增長的高效能源轉(zhuǎn)換需求。