龍騰半導體 ?MOS管 LSG65R570GMB? 作為采用多層外延工藝的超結(jié)MOSFET（SJ MOSFET），在性能與可靠性方面具備顯著優(yōu)勢，主要受益于以下技術(shù)特性：

一、核心性能提升

導通損耗優(yōu)化?
多層外延工藝通過精確控制摻雜濃度，顯著降低器件導通電阻（R_DS(on)），相比傳統(tǒng)MOSFET減少25%以上功率損耗，提升系統(tǒng)能效。

開關(guān)特性增強?

優(yōu)化的柵極電荷（Q_g）設(shè)計降低開關(guān)損耗，適配高頻電源拓撲（如LLC、圖騰柱PFC）。
超低反向恢復電荷（Q_rr）抑制橋式電路的電壓振蕩，減少EMI干擾。
二、可靠性強化設(shè)計

抗浪涌與雷擊能力?
多層外延結(jié)構(gòu)通過反復注入摻雜提升芯片均勻性，增強抗雪崩能力（EAS），在戶外電源、工業(yè)設(shè)備等浪涌高風險場景中保障穩(wěn)定運行。

熱管理優(yōu)化?

低導通損耗減少發(fā)熱量，降低散熱需求，支持取消或縮小散熱片，降低成本。
與先進封裝（如TOLL/D2PAK）結(jié)合，實現(xiàn)更低熱阻和更高電流承載能力。
三、小型化與成本優(yōu)勢

芯片面積縮減?
在同等電壓/電流規(guī)格下，多層外延超結(jié)MOSFET芯片尺寸比傳統(tǒng)器件縮小30%以上，支持更高功率密度設(shè)計。

系統(tǒng)級成本降低?

小型化芯片適配緊湊封裝（如TO-220、TOLL），節(jié)省PCB空間。
低損耗特性減少散熱材料用量，綜合降低電源系統(tǒng)物料成本。

典型應用?：適用于65W USB-PD快充、微型逆變器、LED驅(qū)動電源等高效率場景，滿足消費電子與工業(yè)領(lǐng)域?qū)β拭芏群涂煽啃缘碾p重需求。