業(yè)務(wù)聯(lián)系1533800-0102 曾先生
維安（WAYON）WMJ36N65F2是一款N溝道超結(jié)型功率MOSFET，專為高壓應(yīng)用設(shè)計。以下是其關(guān)鍵參數(shù)和特性概述：
- 型號：WMJ36N65F2
- 封裝：TO-247
- 電壓耐受：漏源擊穿電壓（VDS）為650V
- 導(dǎo)通電阻：在柵源電壓（VGS）為10V時，典型值為0.105Ω
- 電流容量：連續(xù)漏極電流（ID）在25℃環(huán)境下為36A
- 功率耗散：最大功耗（PD）為277W（基于25℃環(huán)境溫度）
- 柵源電壓：最大額定值為30V
- 閾值電壓：典型值約為4V（VGS(th)）
該器件屬于維安的超結(jié)MOSFET系列，適用于開關(guān)電源、逆變器等高壓場景，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)。
在采購時，建議通過正規(guī)渠道核實(shí)供應(yīng)商資質(zhì)，并注意批號以確保產(chǎn)品時效性。
維安（WAYON）WMJ36N65F2是一款N溝道超結(jié)型功率MOSFET，專為高壓應(yīng)用設(shè)計。以下是其關(guān)鍵參數(shù)和特性概述：
- 型號：WMJ36N65F2
- 封裝：TO-247
- 電壓耐受：漏源擊穿電壓（VDS）為650V
- 導(dǎo)通電阻：在柵源電壓（VGS）為10V時，典型值為0.105Ω
- 電流容量：連續(xù)漏極電流（ID）在25℃環(huán)境下為36A
- 功率耗散：最大功耗（PD）為277W（基于25℃環(huán)境溫度）
- 柵源電壓：最大額定值為30V
- 閾值電壓：典型值約為4V（VGS(th)）
該器件屬于維安的超結(jié)MOSFET系列，適用于開關(guān)電源、逆變器等高壓場景，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)。
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Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
網(wǎng)址：www.szqrl.cn
總公司地址:廣東省東莞市萬江街道華爾泰路2號五盈科技園5棟3層
經(jīng)營產(chǎn)品：碳化硅器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結(jié)MOS
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