結(jié)構(gòu)創(chuàng)新：核心在于陳院士提出的CB 及異型島結(jié)構(gòu)，這是一種耐壓層上的結(jié)構(gòu)突破，不僅適用于垂直功率 MOSFET，還可應(yīng)用于功率 IC 的關(guān)鍵器件（如 LDMOS、SBD、SIT 等功率半導(dǎo)體器件），被稱為 “功率半導(dǎo)體器件發(fā)展史上的里程碑式結(jié)構(gòu)”。

特殊構(gòu)造與性能：阻擋層采用梳狀結(jié)構(gòu)，通過約七次離子注入 + 二次高溫擴散形成，使得阻擋層電場分布呈矩形結(jié)構(gòu) —— 僅用傳統(tǒng) FET 200V 的阻擋厚度，即可承受約 500V 的耐壓，最終實現(xiàn)導(dǎo)通電阻極低、耐高壓、發(fā)熱量低的核心優(yōu)勢，這也是其 “超結(jié) MOSFET” 名稱的由來。

SJ-MOS 的Rdson（通態(tài)電阻） 遠(yuǎn)低于 VDMOS，直接減少系統(tǒng)電源類產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗，顯著提升系統(tǒng)效率；

優(yōu)勢在大功率、大電流類電源產(chǎn)品中尤為明顯，是高效電源設(shè)計的關(guān)鍵支撐。

芯片面積優(yōu)化：相同電流、電壓規(guī)格下，SJ-MOS 的晶源面積小于 VDMOS，廠家可封裝出體積更小的產(chǎn)品，直接提升電源系統(tǒng)的功率密度；

散熱負(fù)擔(dān)減輕：導(dǎo)通損耗降低意味著發(fā)熱量減少，實際應(yīng)用中可縮小散熱器體積，部分低功率電源甚至可省去散熱器，進(jìn)一步優(yōu)化系統(tǒng)集成度。