平面工藝橋堆是一種采用平面工藝技術(shù)制造的整流橋堆，具有超低導(dǎo)通電壓、優(yōu)異的反向恢復(fù)特性和溫升控制能力，常溫下正向壓降（VF）為0.77V，高溫（125°C）下仍保持優(yōu)異性能，較常規(guī)LOW VF產(chǎn)品效率提升明顯。
2025-11-20虹揚(yáng)橋堆平面工藝(Planar)結(jié)構(gòu)制程技術(shù)的橋堆在相同應(yīng)用條件下, 溫升優(yōu)于常規(guī)LOW VF(GPP)將近10度, 提升客戶(hù)應(yīng)用上的可靠性和穩(wěn)定性及壽命。
2025-10-29揚(yáng)杰科技600V/800V超低導(dǎo)通電壓橋式整流器系列，憑借外延+平面工藝的創(chuàng)新制程，在導(dǎo)通電壓、反向耐壓、漏電性能等方面表現(xiàn)卓越，以超低損耗、高可靠性的優(yōu)勢(shì)，為AI電源、服務(wù)器電源等高端功率領(lǐng)域的能效提升與穩(wěn)定..
2025-10-07虹揚(yáng)科技持續(xù)推出業(yè)界獨(dú)特少有的快速恢復(fù)橋式整流器，涵蓋GBU GBJ封裝，額定電流4A-30A。
2025-09-15國(guó)內(nèi)TOP級(jí)無(wú)人機(jī)廠商在其新一代 5500W 農(nóng)業(yè)無(wú)人機(jī)平臺(tái)中，迫切需要一款能在苛刻工況下同時(shí)滿(mǎn)足超高效率、優(yōu)異熱性能和高可靠性的功率器件。經(jīng)過(guò)多輪對(duì)比測(cè)試，龍騰半導(dǎo)體SGT MOSFET LSGT085R01..
2025-09-15超結(jié) MOSFET（又稱(chēng) Super Junction MOSFET），是基于電子科技大學(xué)陳星弼院士發(fā)明專(zhuān)利的新型功率 MOSFET，其打破了傳統(tǒng)功率 MOSFET 的理論極限，被國(guó)際盛譽(yù)為 “功率 MOSFE..
2025-09-15虹揚(yáng)LOWVF整流橋堆電源設(shè)計(jì)選型講解，通常選擇橋堆的額定平均正向電流 (Io) 至少是你計(jì)算出的最大負(fù)載平均電流的 1.5倍到2倍甚至更高。對(duì)于有高浪涌電流風(fēng)險(xiǎn)的場(chǎng)合（如容性負(fù)載大的開(kāi)關(guān)電源），裕量應(yīng)更大，并..
2025-08-19SemiHow通過(guò)聚焦超結(jié)技術(shù)和可靠性設(shè)計(jì)，其MOSFET在中高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景中具備較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力。
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