第一電路設(shè)計(jì)。讓
mos管工作在線性工作狀態(tài)，而不是開(kāi)關(guān)狀態(tài)。如果用N-mos做開(kāi)關(guān)，G電平電壓要比電源高幾V才能完全導(dǎo)通，P-mos則相反。不完全打開(kāi)導(dǎo)致壓降過(guò)大導(dǎo)致功耗，等效DC阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就是發(fā)熱。
第二，工作頻率。這是調(diào)試過(guò)程中常見(jiàn)的現(xiàn)象，降頻主要是兩個(gè)方面造成的。輸入電壓與負(fù)載電壓之比小，系統(tǒng)干擾大。對(duì)于前者，請(qǐng)注意不要將負(fù)載電壓設(shè)置得太高，盡管負(fù)載電壓高時(shí)效率會(huì)更高。對(duì)于后者，可以嘗試以下幾個(gè)方面:
1.將最小電流設(shè)置為較小的值。
2.清潔布線，尤其是關(guān)鍵的傳感路徑。
3.選擇電感的小點(diǎn)或閉合磁路的電感。
4.加RC低通濾波器，這個(gè)效果有點(diǎn)差，C的一致性也不好，偏差有點(diǎn)大，不過(guò)應(yīng)該夠照明了。無(wú)論如何，降頻沒(méi)有好處，只有壞處，所以必須解決。
有時(shí)候mos管的頻率太高，主要是對(duì)體積的過(guò)分追求，導(dǎo)致頻率增加，mos管上的損耗增加，所以發(fā)熱也增加。
第三，散熱設(shè)計(jì)。電路板散熱設(shè)計(jì)不好，電流過(guò)大。mos管的標(biāo)稱(chēng)電流值一般需要散熱好。因此，如果ID小于額定電流，則熱量可能?chē)?yán)重，需要足夠的輔助散熱器。
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