目前MOS工藝主要分為三類：Trench MOSFET / High-Performance-Advanced Trench MOSFET / Super Junction MOSFET

1 Trench MOSFET： 溝槽工藝，具有導通電阻小，寄生電容小，開關速度快等優(yōu)點。

2 High-Performance-Advanced Trench MOSFET： SGT工藝，是屏蔽溝槽工藝，屏蔽深溝槽工藝，這個是基于傳統(tǒng)溝槽式 MOSFET（U-MOSFET）的一種改進型的溝槽式功率 MOSFET。相比于傳統(tǒng) U-MOSFET 功率器件，它的開關速度更快，開關損耗更低，具有更好的器件性能。

3 Super-Junction MOSFET：超結MOSFET，具有更低的通態(tài)阻抗，更低的傳導損耗，更低的開啟電壓，更快的開關速度，更低的柵極電荷Qg等。它的缺點，在開關電源系統(tǒng)應用會出現(xiàn)EMI可能超標；柵極震蕩；抗浪涌及耐壓能力差；漏源極電壓尖峰比較大等等。